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Acerca del ICMM

El Instituto de Ciencia de Materiales de Madrid (ICMM) es un Instituto del Consejo Superior de Investigaciones Científicas (CSIC), perteneciente al Área de Materia.

 

Nuestra misión es generar nuevos conocimientos básicos y aplicados sobre materiales y procesos con alto valor añadido y su transferencia a los sectores productivos de ámbito local, nacional y europeo. Estamos involucrados en la formación de nuevos profesionales en la investigación en materiales, y en la diseminación del conocimiento científico.

 

Acogemos la diversidad y defendemos la Ciencia inclusiva como única Ciencia posible 

Próximos Eventos

Cómo llegar


In memoriam Jorge Iribas (1966-2021)


El 16 de junio se nos ha ido, demasiado pronto, nuestro compañero Jorge Iribas Cerdá, Investigador Científico en el ICMM. Nos deja un importante legado científico, un código único para describir materiales a escala atómica con condiciones de contorno abiertas, y contribuciones en Física de superficies, materiales 2D, topología y magnetismo. Pero sobre todo nos deja un vacío muy grande como persona. Alma del grupo de teatro, amigo querido para todos por su carácter extrovertido y sus ganas de vivir.

Jorge, te echaremos de menos. Descansa en paz.


Libro de pésame
Biografía

Noticias

Lorena Pardo galardonada en XV National Meeting on Electroceramics con el Epsilon de Oro por su productiva carrera dedicada a las electroceramicas

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Spatial Control of Charge Doping in n-Type Topological Insulators

Sakamoto K., Ishikawa H., Wake T., Ishimoto C., Fujii J., Bentmann H., Ohtaka M., Kuroda K., Inoue N., Hattori T., Miyamachi T., Komori F., Yamamoto I., Fan C., Krüger P., Ota H., Matsui F., Reinert F., Avila J., Asensio M.C.



Spatially controlling the Fermi level of topological insulators and keeping their electronic states stable are indispensable processes to put this material into practical use for semiconductor spintronics devices. So far, however, such a method has not been established yet. Here we show a novel method for doping a hole into n-type topological insulators Bi2X3 (X= Se, Te) that overcomes the shortcomings of the previous reported methods. The key of this doping is to adsorb H2O on Bi2X3 decorated with a small amount of carbon, and its trigger is the irradiation of a photon with sufficient energy to excite the core electrons of the outermost layer atoms. This method allows controlling the doping amount by the irradiation time and acts as photolithography. Such a tunable doping makes it possible to design the electronic states at the nanometer scale and, thus, paves a promising avenue toward the realization of novel spintronics devices based on topological insulators.

Nano Letters

TD-EDP measured at hν = 20–100 eV using a light spot of 100 μm. The circles represent the experimental results, and the curves overlapping them are the fitting results.

ICMM-2021 - Sor Juana Inés de la Cruz, 3, Cantoblanco, 28049 Madrid, España. Tel: +34 91 334 9000. info @ icmm.csic.es