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Acerca del ICMM

El Instituto de Ciencia de Materiales de Madrid (ICMM) es un Instituto del Consejo Superior de Investigaciones Científicas (CSIC), perteneciente al Área de Ciencia y Tecnología de Materiales.

 

La misión del ICMM es generar nuevos conocimientos básicos y aplicados en materiales y procesos con alto valor añadido y su transferencia a los sectores productivos de ámbito local, nacional y europeo (el verdadero valor de los materiales está en su uso), la formación de nuevos profesionales en el campo de los materiales y la divulgación del conocimiento científico.

 

Cómo llegar

Próximos Eventos

 

ENE24|12:00

Topological Wilson-Hubbard matter: a bridge between condensed matter and high-energy physics
Alejandro Bermúdez  leer más

ENE28|10:30

Infrared spectromicroscopy and imaging with six decades of dynamic range
Ferenc Borondics  leer más

ENE28|12:00

2018 Nobel Prize in Physics, Part II:
Ultraintense Ultrashot Lasers: New Scientific Applications Allowed by the CPA Technology

Prof. Luis Roso   leer más

Noticias

Ricardo García, del ICMM, recibirá la distinción Beller lectureship de la American Physical Society durante el March Meeting de la APS (Boston, 4-8 Marzo, 2019)

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Direct Patterning of p-Type-Doped Few-layer WSe2 Nanoelectronic Devices by Oxidation Scanning Probe Lithography

A. I. Dago, Y. K. Ryu, F. J. Palomares, and R. Garcia

Direct, robust, and high-resolution patterning methods are needed to downscale the lateral size of two-dimensional materials to observe new properties and optimize the overall processing of these materials. In this work, we report a fabrication process where the initial microchannel of a few-layer WSe2 field-effect transistor is treated by oxygen plasma to form a self-limited oxide layer on top of the flake. This thin oxide layer has a double role here. First, it induces the so-called p-doping effect in the device. Second, it enables the fabrication of oxide nanoribbons with controlled width and depth by oxidation scanning probe lithography (o-SPL). After the removal of the oxides by deionized H2O etching, a nanoribbon-based field-effect transistor is produced. Oxidation SPL is a direct writing technique that minimizes the use of resists and lithographic steps. We have applied this process to fabricate a 5 nm thick WSe2 field-effect transistor, where the channel consists in an array of 5 parallel 350 nm half-pitch nanoribbons. The electrical measurements show that the device presents an improved conduction level compared to the starting thin-layer transistor and a positive threshold voltage shift associated to the p-doping treatment. The method enables to pattern devices with sub-50 nm feature sizes. We have patterned an array of 10 oxide nanowires with 36 nm half-pitch by oxidation SPL.

ACS Appl. Mater. Interfaces

ICMM-2019 - Sor Juana Inés de la Cruz, 3, Cantoblanco, 28049 Madrid, España. Tel: +34 91 334 9000. info@icmm.csic.es