Departamento
de Intercaras y Crecimiento
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| Imágen STM tomada en UHV mostrando la topografía
de la superficie de una aleación bidimensional de Si/Cu(110).
Los escalones que se aprecian en la imagen son de un átomo
de altura. Superficie examinada 2000x2000 Å2. [22K GIF] (C.
Polop, Depto. de Intercaras y Crecimiento y J.A. Martín-Gago,
Depto. Física e Ingeniería de Superficies) |
Imagen STM en la que se aprecia la formación del siliciuro
de Y epitaxiado sobre Si(111) 7x7. Se pueden observar la existencia
de varias fases ordenadas sobre la superficie. La Superficie examinada
472 x 436 A2. [96K GIF] (C. Polop, Depto. de Intercaras y Crecimiento
y J.A. Martín-Gago, Depto. Física e Ingeniería
de Superficies) |
Imagen de STM de una aleación bidimensional de Si-Cu sobre
un substrato de Cu(110). La red periódica corresponde
a los átomos de Si en la aleación. Los agujeros
e imperfecciones se deben a moléculas de oxígeno que
han reaccionado con los átomos de la aleación formando
óxido de silicio. La superficie examinada es 141 x 156
A2. [46K GIF] (C. Polop, Depto. de Intercaras y Crecimiento y J.A.
Martín-Gago, Depto. Física e Ingeniería de Superficies) |
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| Imagen de AFM (area: 750 x 750 nm) que muestra la morfologia de
una lamina delgada de CdTe (3 micras de espesor) desarrollada durante
su crecimiento por MOCVD. Se observan las terrazas de la superficie
con sus bordes orientados en las direcciones cristalograficas principales
de la estructura. [40K JPG] ( C. Polop, C. Ocal, I. Mora, V. Muñoz,
Depto. de Intercaras y Crecimiento) |
Imagen de AFM (area: 900 x 900 nm) que muestra la morfologia de
una lamina delgada de CdTe (3 micras de espesor) desarrollada durante
su crecimiento por MOCVD. Se observan las terrazas de la superficie
con sus bordes orientados en las direcciones cristalograficas principales
de la estructura. [37K JPG] ( C. Polop, C. Ocal, I. Mora, V. Muñoz,
Depto. de Intercaras y Crecimiento) |
Imagen topográfica de AFM (600nm x 600nm) de una isla de
alcanotioles sobre Au(111). Barriendo con la punta del AFM a lo largo
de las letras de la palabra "HI" se ha "escrito"
un motivo formado por regiones elevadas sobre la isla inicialmente
plana. Las zonas elevadas y bajas presentan una estructura molecular
diferente, demostrando la transición de fase inducida por la
punta. [31K JPG] (E. Barrena, C. Ocal, Depto. de Intercaras y Crecimiento).
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Superficie de Fermi del superconductor de alta temperatura Bi2212
medido con fotoemisión angular y empleando la línea
Hispano- francesa de radiación sincrotrón en LURE (Orsay-
Francia). [34K JPG] (J. Avila y M. C. Asensio, Depto. Intercaras y
Crecimiento y LURE (Orsay- Francia)).
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Superficie de Fermi de la fase a-ˆ3 Pb/Ge(111). La escala de
colores indica la intensidad medida por fotoemisión al nivel
de Fermi. [66K JPG] (J. Avila y M. C. Asensio, Depto. Intercaras y
Crecimiento y LURE (Orsay- Francia)). |
En esta imagen de más aumentos se observan las “aspas” del
nivel de Si dopado con más detalle. Se aprecia un nivel un
poco más alto (de polisilicio) que forman las puertas (cuatro
pequeñas bandas en cada estructura) aislando las cinco ventanas
y que definen la geometría de la estructura de líneas
periódica del nivel de polisilicio eliminado. (20x20 micras)
[43K GIF] (E. Barrena y C. Ocal, Depto. de Intercaras y Crecimiento)
(Chips fabricados por Lucent Technologies Bell Labs Innovations) |
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| Serie de tres imágenes
de AFM con aumentos sucesivos de un chip decapado hasta dejar expuesto
el nivel de Si dopado. Los dos niveles más elevados son Si
altamente dopado (p y n respectivamente) mientras que los dos niveles
inferiores son de Si ligeramente dopado (igualmente p y n respectivamente).
(54x54 micras, 20x20 micras y 10x10 micras) [83K, 60K, 52K GIF] (E.
Barrena y C. Ocal, Depto. de Intercaras y Crecimiento) (Chips fabricados
por Lucent Technologies Bell Labs Innovations) |
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| Chip una vez finalizado el proceso de fabricación y protegido
con una fina capa de oro que deja inalterada la topografía
superficial. A falta de los contactos definitivos se observan en la
imagen las líneas de alimentación eléctrica (que
recorren la imagen atravesándola) y se reconocen las ventanas
(como pequeños orificios) que, en el dispositivo final, son
utilizados posteriormente para los contactos eléctricos
entre los niveles de metalización (AlCuSi) y el substrato de
Si dopado. (47x47 micras) [33K GIF] (E. Barrena y C. Ocal, Depto.
de Intercaras y Crecimiento) (Chips fabricados por Lucent Technologies
Bell Labs Innovations) |
Zoom realizado sobre la misma zona que la imagen anterior. Los diferentes
niveles cuya topografía se observa corresponden a las distintas
capas de materiales crecidos durante el proceso de fabricación:
metal, óxido y semiconductor (AlCuSi, Si, SiO2,
SiOxNy, Si3N4 y TiN).
(30x30 micras) [33K GIF] (E. Barrena y C. Ocal, Depto. de Intercaras
y Crecimiento) (Chips fabricados por Lucent Technologies Bell Labs
Innovations) |
Circuito al nivel metálico del proceso de fabricación.
Las pistas de AlCuSi, con las ventanas para los contactos entre este
nivel y uno inferior de Si dopado, están interconectadas por
una pista ancha (parte inferior derecha de la imagen) que garantiza
el contacto entre ellas. (54x54 micras) [27K GIF] (E. Barrena y C.
Ocal, Depto. de Intercaras y Crecimiento) (Chips fabricados por Lucent
Technologies Bell Labs Innovations) |
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| Circuito cuyo proceso se ha parado al nivel en que quedan expuestas
las líneas de polisilicio. (40x50 micras) [39K
GIF] (E. Barrena y C. Ocal, Depto. de Intercaras y Crecimiento) (Chips
fabricados por Lucent Technologies Bell Labs Innovations) |
Zoom sobre la misma zona. Con estos aumentos se empieza a reconocer
claramente que el nivel inferior tiene estructura. Y se ven unas pequeñas
partículas cuya presencia podría ser responsable de
un mal funcionamiento del futuro dispositivo. (20x20 micras)
[37K GIF](E. Barrena y C. Ocal, Depto. de Intercaras y Crecimiento)
(Chips fabricados por Lucent Technologies Bell Labs Innovations) |
Los aumentos nos permiten en una nueva imagen de menor tamaño
comprobar que las citadas partículas “taponan” algunas de la
ventanas. (15x15 micras) [36K GIF] (E. Barrena y C. Ocal, Depto.
de Intercaras y Crecimiento) (Chips fabricados por Lucent Technologies
Bell Labs Innovations) |
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| Alcanzar aumentos manteniendo el nivel de resolución es muy
ventajoso. No se trata de aumentar una imagen, sino de tomar una nueva
imagen de menor área lateral. En muchas ocasiones, las partículas,
aun estando en las ventanas “no” constituyen un problema real. A estos
aumentos vemos que no quedan cerradas y el contacto es posible. (4.5x4.5
micras) [26K GIF] (E. Barrena y C. Ocal, Depto. de Intercaras
y Crecimiento) (Chips fabricados por Lucent Technologies Bell Labs
Innovations) |
En este zoom sólo se ve el nivel inferior (Si) y, el tamaño
de partículas se puede determinar fácilmente. (2.5x2.5
micras) [27K GIF] (E. Barrena y C. Ocal, Depto. de Intercaras
y Crecimiento) (Chips fabricados por Lucent Technologies Bell Labs
Innovations) |
La superficie anterior se sometió a un proceso de decapado
por ultrasonidos para eliminar el nivel de polisilicio. Aún
se reconocen restos de las líneas del nivel decapado. El nivel
de silicio dopado expuesto presenta una estructura de “aspas” con
cinco ventanas cada una. (40x40 micras) [33K GIF] (E. Barrena
y C. Ocal, Depto. de Intercaras y Crecimiento) (Chips fabricados por
Lucent Technologies Bell Labs Innovations) |
