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 Departamento de Física e Ingeniería de Superficies
 
Imagen AFM tridimensional, tomada en el modo de "tapping", de un cristal de ópalo artifical producido mediante la sedimentación de esferas de sílice (220 nm de radio). [39K GIF] (L. Vázquez, Depto. Física e Ingeniería de Superficies) Imagen AFM tridimensional, tomada en el mode de contacto, de una película delgada de diamante crecida por deposición en fase de vapor (CVD) sobre Si(100). [42K GIF] (L. Vázquez, Depto. Física e Ingeniería de Superficies) Imagen AFM tomada en el modo de contacto, de una película delgada, de 100 nm de espesor, de YBa2Cu3O7 depositada por "sputtering". [40K GIF] (L. Vázquez, Depto. Física e Ingeniería de Superficies)
Imagen AFM tridimensional, tomada en el modo de contacto en medio fluido, de un cristal bidimensional, formado por conectores del bacteriófago 29, sobre un sustrato de mica. La fuerza aplicada es del orden de 10 pN. [38K GIF] (L. Vázquez, Depto. Física e Ingeniería de Superficies) Imagen STM tomada en UHV mostrando la topografía de la superficie de una aleación bidimensional de Si/Cu(110).  Los escalones que se aprecian en la imagen son de un átomo de altura. Superficie examinada 2000x2000 Å2. [22K GIF] (C. Polop, Depto de Intercaras y Crecimiento y J.A. Martín-Gago, Depto. Física e Ingeniería de Superficies) Simulación de superficie fractal tridimensional. Fué portada de la revista "Journal of Microscopy". [61K GIF] (M. Aguilar, E. Anguiano, Depto. Física e Ingeniería de Superficies)
Imagen de STM de una aleación bidimensional de Si-Cu sobre un substrato de Cu(110).  La red periódica corresponde a  los átomos de Si en la aleación. Los agujeros e imperfecciones se deben a moléculas de oxígeno que han reaccionado con los átomos de la aleación formando óxido de silicio. La superficie examinada es  141 x 156 A2. [46K GIF] (C. Polop, Depto. de Intercaras y Crecimiento y J.A. Martín-Gago, Depto. Física e Ingeniería de Superficies) a) Diagrama experimental de fotodifracción de electrones (XPD) del Si 2p de una aleación bidimensional de Si-Cu(110) a 1156 eV. b) Cálculo SSC para reproducir el experimento. Phys. Rev. B 55,12896 (1997).  [41K GIF] (J.A. Martín-Gago, Depto. Física e Ingeniería de Superficies) Imagen STM en la que se aprecia la formación del siliciuro de Y epitaxiado sobre Si(111) 7x7. Se pueden observar la existencia de varias fases ordenadas sobre la superficie. La Superficie examinada 472 x 436 A2. [96K GIF]
(C. Polop, Depto. de Intercaras y Crecimiento y J.A. Martín-Gago, Depto. Física e Ingeniería de Superficies)
Imagen STM del aspecto de las terrazas de YSi1.7 crecido sobre un substrato de Si(111) limpio (99x76nm2). Los escalones visibles son de un átomo de altura. [17K JPG]
(C. Rogero, C. Polop y J.A. Martín-Gago, Depto. Física e Ingeniería de Superficies)
Nanocristales de Si obtenidos mediante ataque por haces de iones de un sustrato de Si(100). [61K JPG] (R. Gago, L. Vázquez y J.M. Albella, Depto. de Física e Ingeniería de Superficies).

Imagen STM de resolución atómica de la superficie de siliciuro de itrio epitaxiado sobre Si(111) 7x7. Cada punto rojo o blanco se corresponde con un átomo de Si. [36K JPG] (C. Rogero, C. Polop y J.A. Martín-Gago, Depto. Física e Ingeniería de Superficies)

 

 

 

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